ГЛАВНАЯ О ФИРМЕ ПЕРЕЧЕНЬ ПРОДУКЦИИ КАТАЛОГ ИЗДЕЛИЙ КОНТАКТЫ

 

I. Перечень высоковольтных, быстродействующих, радиационно-стойких карбид кремниевых (SiC) диодов Шоттки, сборок на их основе, однофазных мостов, карбид кремниевых (SiC)

 MOSFET-тразисторов.

(макетные образцы)

1. Диоды Шоттки. СКАЧАТЬ ДОКУМЕНТАЦИЮ

Условное обозначение Конструктивное исполнение Основные электрические параметры при температуре +25 °C Примечание

URRM,

(В)

IF(AV),

(А)

UF(В),

не более

QC, (нКл)

1. К1П17

К1П12

К1П09

К1П06
металлопластмассовый корпус для поверхностного монтажа -89

1700

1200

900

600

1,0

1,8

15

 
2. К1МК12

К1МК09

К1МК06
металлокерамический корпус для поверхностного монтажа 4601.3-1

1200

900

600

1,0

1,8

15

 
3. К1МС12

К1МС09

К1МС06
металлостеклянный корпус  для навесного монтажа КТ-1

1200

900

600

1,0

1,8

15

 
4. К3П17

К3П12

К3П09

К3П06
металлопластмассовый корпус для поверхностного  монтажа ТО-252

1700

1200

900

600

1,0

0

15

 
5. К5П12

К5П09

К5П06
металлопластмассовый корпус ТО-220

1200

900

600

1,0

1,8

34.5

 
6. К10П12

К10П09

К10П06
металлопластмассовый корпус ТО-220

1200

900

600

1,0

1,8

66

 
7. К10МК12

К10МК09

К10МК06
металлокерамический корпус для поверхностного монтажа -05

1200

900

600

1,0

1,8

66

 
8. К20П12

К20П09

К20П06
металлопластмассовый

-218»,

полностью изолированный

1200

900

600

1,0

1,8

130

 
9. К20МК12

К20МК09

К20МК06
металлокерамический для поверхностного монтажа -1

1200

900

600

1,0

1,8

130

 

 

 2. Высокотемпературные, радиационно-стойкие диоды Шоттки, для жестких условий эксплуатации (до Тj= +225 °C). СКАЧАТЬ ДОКУМЕНТАЦИЮ

 

Условное обозначение Конструктивное исполнение Основные электрические параметры при температуре +25 °C Примечание

URRM,(В)

IF(AV),

(А)

UF(В),

не более

QC, (нКл)

1. К20МК12Т

К20МК06Т
металлокерамический корпус ТО-254

1200

600

20,0

1,8

130

 
2. К30МК06Т металлокерамический корпус ТО-258

600

30,0

1.7

65

 
3. К50МК12Т

К50МК06Т
металлокерамический корпус ТО-258

1200

600

50,0

1.8

170

 

 

Примечание:

Расшифровка условных обозначений диодов.

1. Материал изготовления диода:

 К- карбид кремния (SiC)

2. Прямой ток диода:

    50 - IF(AV)=50 А.

3. Материал изготовления корпуса:

    П -металлопластмассовый

    МК-металлокерамический

    МС-металлостеклянный

4. Максимальное обратное напряжение диода:

   12- URRM=1200 В

   09- URRM=900 В

   06- URRM=600 В

5. Т-высокотемпературный ( Тj=+225°C )

 

3. Диодные сборки на диодах Шоттки. СКАЧАТЬ ДОКУМЕНТАЦИЮ

 

Условное обозначение Конструктивное исполнение Основные электрические параметры при температуре +25 °C Примечание

URRM, (В)

IF(AV) ,

(А)

UF(В),

не более

QC, (нКл)

1. КС3МК12

КС3МК09

КС3МК06
необъединенные два диода в

металлокерамическом корпусе 427.4-1

1200

900

600

1,0

на один диод

15

 
2. КС5МК12

КС5МК09

КС5МК06
необъединенные два диода в

металлокерамическом корпусе 427.4-1

1200

900

600

x5,0

1,8 на один диод

34.5

 
3. КС10МК12

КС10МК06
необъединенные два диода в

металлокерамическом корпусе 427.4-1

1200

600

1,0

1,8 на один диод

66

 
4. КС20МК12а

КС20МК09а

КС20МК06а
два диода с общим анодом в беспотенциальном металлокерамическом корпусе ТО-247

1200

900

600

1,0

1,8 на один диод

130

 
5. КС20МК12к

КС20МК09к

КС20МК06к
два диода с общим катодом в беспотенциальном металлокерамическом

ТО-247

1200

900

600

1,0

1,8 на один диод

130

 
6. 0МК12а

0МК09а

0МК06а
два диода с общим анодом в беспотенциальном металлокерамическом корпусе ТО-247

1200

900

600

 

1,0

1,8 на один диод

170

 
7. 0МК12к

0МК09к

0МК06к
два диода с общим катодом в беспотенциальном металлокерамическом

ТО-247

1200

900

600

 

1,0

1,8 на один диод

170

 
8. КС10МК12а

КС10МК09а

КС10МК06а
два диода с общим анодом в

беспотенциальном

металлокерамическом корпусе ТО-247

1200

900

600

 

1,0

1,8 на один диод

66

 
9. КС10МК12к

КС10МК09к

КС10МК06к
два диода с общим катодом в

беспотенциальном

металлокерамическом корпусе ТО-247

1200

900

600

 

1,0

1,8 на один диод

66

 

 

4.Однофазные мосты на диодах Шоттки. СКАЧАТЬ ДОКУМЕНТАЦИЮ

 

Условное обозначение Конструктивное исполнение Основные электрические параметры при температуре +25 °C Примечание

URRM, (В)

IF(AV) ,

(А)

UF, (В),

не более

QC , (нКл)

1. КСМ1МК12

КСМ1МК09

КСМ1МК06
однофазный мост в металлокерамическом корпусе 427.4-1

1200

900

600

4х1,0

1,8на один диод

15

 
2. КСМ5МК12

КСМ5МК09

КСМ5МК06
однофазный мост

металлокерамическом корпусе 427.4-1

1200

900

600

4х5,0

1,8 на один диод

34.5

 
3. КСМ2МК17

КСМ2МК12

КСМ2МК09
однофазный мост в

беспотенциальном металлокерамическом корпусе КТ-108

1700

1200

900

4х2,0

1,8 на один диод

15

 

Примечание:

Расшифровка условных обозначений диодных сборок и мостов.

1. Материал изготовления диода:

)

2. -сборка

    СМ-мост

3. Прямой ток на один диод:

    1 - =1 А.

4. Материал изготовления корпуса:

    МК-металлокерамический

    МС-металлостеклянный

5. Максимальное обратное напряжение диодной сборки:

   12- =1200 В

   09- =900 В

   06- =600 В

6. Для сборок:

    а- с общим анодом,    к- с общим катодом

 

5. MOSFET-транзисторы (n-канальный ДМОП)

 

Условное обозначение Конструктивное исполнение Основные электрические параметры

при температуре +25 °C
Примечание

UDS,

(В)

RDS,

(мОм)

ID,

(А)

UGS,

(В)

Tj,

(°C)

1. КМ12П16 пластмассовые корпуса

ТО-220,

ТО-252(для поверхностного монтажа)

1200

160

24

-5/+25

150

 
2. КМ12МК16 металлокерамический беспотенциаль-    ный корпус

КТ-111А-1,

КТ-111А-2

1200

160

24

-5+/25

175

 
3. КМ12П08 пластмассовый полностью изолированный «Isovatt-218»

1200

80

31.6

-10+/25

150

 
4. КМ12МК08 металлокерами-ческий беспотенциаль-

ный ТО-247

1200

80

31.6

-10/+25

150

 
5. КМ12МК08Д металлокерами-ческий беспотенциаль-

ный с дополнитель-

ным блокирующим диодом Шоттки ТО-247

1200

80

50

-5/+25

175

 
6. КМ12МК025 металлокерами-ческий беспотенциаль

ный ТО-247

1200

25

107

-10/+25

175

 

 

 

6. MOSFET-транзисторы  высокотемпературные, радиационно-стойкие, для жестких условий эксплуатации (до Тj=+225 °C).

Условное обозначение Конструктивное исполнение Основные электрические параметры

при температуре +25 °C
Примечание

UDS,

(В)

RDS,

(мОм)

ID,

(А)

UGS (В)

Tj,

(°C)

1. КМ12МК025T металлоке-

рамический корпус

TO-258

1200

25

107

-10/+25

225

 
2. КМ12МК08T металлоке-

рамический корпус

TO-257

1200

80

50

-5/+25

225

 

 

Примечание:

Расшифровка условных обозначений MOSFET

1. Материал изготовления транзистора:

    К- карбид кремния (SiC)

2.  Тип полупроводникового прибора:

     М- MOSFET-транзистор

3. Максимальное обратное напряжение сток-исток:

   12- UDS=1200 В

4. Материал изготовления корпуса:

    МК-металлокерамический

    П –пластмассовый

5. Сопротивление сток-исток открытого канала:

    08- RDS(on)=80 мОм

    16- RDS(on)=160 мОм

    025- RDS(on)=25 мОм

6. Т-высокотемпературный (до температуры +225°C )

7. Д-с дополнительным диодом Шоттки

  

II. Силовые модули на SiC-диодах Шоттки и SiC-MOSFET-транзисторах

(макетные образцы)

1. Выпрямительные диодные модули на SiC-диодах Шоттки

Схема Условное обозначение

 
Конструк-

тивное

испол-

нение
Электрические параметры при  температуре +25 °C Примечание

URRM, (В)

IF(AV) , (А)

UF(В)

QC,

(нКл)
 
1. Два диода Шоттки МКД2-50-06 МПК-25

600

50

1.8

110

 
МКД2-100-06

100

1.8

 
МКД2-50-12

1200

50

1.8

170

 
МКД2-100-12

100

1.8

 
МКД2-50-17

1700

50

2.0

370

 
МКД2-100-17

100

2.0

 
2. Однофаз-

ный мост
МКД4-50-06 МПК-25

600

50

1.8

370

 
МКД4-100-06

100

1.8

 
МКД4-50-12

1200

50

1.8

 
МКД4-100-12

100

1.8

 
МКД4-50-17

1700

50

2.0

 
МКД4-100-17

100

2.0

 
3. Трехфаз-ный мост МКД6-50-06 МТК-44

(60ммх46ммх17мм)

600

50

1.8

110

 
МКД6-100-06

100

 
МКД6-50-12

1200

50

1.8

170

 
МКД6-100-12

100

 
МКД6-50-17

1700

50

2.0

370

 
МКД6-100-17

100

 

Примечание

Расшифровка условных обозначений

1. Подкласс прибора

М-модуль полупроводниковый

2. Материал изготовления:

)

3.М-на основе MOSFET

  Д-на основе диодов

4. Схема:

Ч-чоппер

К-одиночный ключ

П-полумост

2-два диода

4-однофазный мост

6-трехфазный мост

5. Для чопперов:

В-верхний

Н-нижний

6. Ток:

    Для диодных модулей- )

Для транзисторных  модулей- ID

7. Напряжение:

   Для диодных модулей- URRM

Для транзисторных  модулей- UDS

2. Силовые модули на -транзисторах и блокирующих диодах Шоттки

Схема Условное обозначение

 
Конструктивное

исполне

ние
Электрические параметры при  температуре +25 °C Электрическая схема Примечание

-транзистора

диода

UDS,

(В)

ID,

(А)

RDS,

(мОм)

UGS,

(В)

Qg,

(нКл)

UF,

(В)

QC,

(нК)
1. Одиночный ключ

МКМК-100-12

МПК-25

1200

100

25

-10/+20

180

1.8

180

 

1- дополнитель

ный  блокирующий диод Шоттки
 
2. Верхний чоппер

МКМЧВ-100-12

МПК-44

1200

100

25

-10/+20

180

1.8

180

 

 

1- дополнитель

ный  блокирующий диод Шоттки

диод Шоттки
 
3. Нижний чоппер

МКМЧН-100-12

МПК-44

1200

100

25

-10/+20

180

1.8

180

 

1- дополнитель

ный  блокирующий диод Шоттки

2-диод Шоттки
 
. Нижний мост

МКМП-100-12

МПК-44

1200

100

20

-10/+20

180

1.8

340